T1930N38TOFVTXPSA1
Infineon Technologies
Deutsch
Artikelnummer: | T1930N38TOFVTXPSA1 |
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Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
Teil der Beschreibung.: | SCR MODULE 3800V 4200A DO200AE |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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2+ | $1,310.645 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Aus-Zustand | 3.8 kV |
Spannung - Gate-Trigger (VGT) (Max) | 3 V |
Struktur | Single |
Serie | - |
Verpackung / Gehäuse | DO-200AE |
Paket | Tray |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
Anzahl der Thyristoren, Dioden | 1 SCR |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Chassis Mount |
Strom - EIN-Zustand (It (RMS)) (Max) | 4200 A |
Strom - EIN-Zustand (It (AV)) (max) | 2180 A |
Strom -. Nicht Rep Surge 50, 60 Hz (ITSM) | 40000A @ 50Hz |
Strom - Haltestrom (Ih) (Max) | 300 mA |
Strom - Gate Trigger (IGT) (Max) | 300 mA |
Grundproduktnummer | T1930N38 |
T1930N38TOFVTXPSA1 Einzelheiten PDF [English] | T1930N38TOFVTXPSA1 PDF - EN.pdf |
H24BPR-AG
H10BPR-AGK
H6BPR-AGC
H24BPR-AG
H10BPR-AGC
SCR MODULE 3800V 4200A DO200AE
SCR MODULE 3800V 4200A DO200AE
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SCR MODULE 3800V 4200A DO200AE
H24B-TSBH-PG29
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2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() T1930N38TOFVTXPSA1Infineon Technologies |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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